Лазер укомплектован телескопическим неустойчивым резонатором, который позволяет получать расходимость излучения близкую к дифракционному пределу. Это в свою очередь дает возможность формировать на поверхности обрабатываемого объекта пятно лазерной обработки диаметром от 10 до 50 мкм с плотность мощности до 10>11 Вт/см.кв.

В сочетании с частотой следования импульсов 16000 Гц это позволяет проводить резку и сверление практически любых материалов толщиной до сотен микрометров с высокой скоростью (до 100 мм в секунду) с точностью 10 мкм. Важным применением установки «CRYSTALAS CVL — C» является скрайбирование полупроводниковых и сапфировых подложек с последующим их разделением на кристаллы. Ширина и глубина «скрайбированной дорожки» составляет несколько десятков микрометров.